【摘 要】
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对一款商用NROM存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐
【机 构】
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中国科学院新疆理化研究所,乌鲁木齐830011
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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对一款商用NROM存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明:界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移,进而性能恶化、器件功能失效.退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火,致使电路模块性能没有完全恢复,电流参数没有明显下降.
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