【摘 要】
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The main obstacles that prevent the realization of an electrically driven laser of organic semiconductor are the limited density of electric current, non-radiative state and high-order excited-state a
【机 构】
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Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelec
【出 处】
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第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会
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The main obstacles that prevent the realization of an electrically driven laser of organic semiconductor are the limited density of electric current, non-radiative state and high-order excited-state annihilation.Recently, the optically pumped Amplified Spontaneous Emission (ASE) from halide perovskites was reported in Nature Materials [1], which might provide a possibility to realize low-cost solution-processable laser.Due to its high gain coefficient, low lasing threshold, high mobility, wide wavelengh range high photochemical stability, organic-inorganic halide perovskites provide the possibility to fabricate electrically pumped laser device.In this work, we investigated the properties of the ASE emission from layer for the sake of understanding AES nature of organic-inorganic halide perovskites.CH3NH3PbI3 shows the Full Weight Half Maximum (FWHM) of 8.7 nm and ASE threshold of 660 nJ/pulse which are roughly same as that of conjugated polymers.
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