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小角中子散射(SANS)技术在高分子材料研究中有着不可比拟的优势，高分子领域两个诺贝尔奖工作(Flory 的高分子链构象统计理论和de Gennes 蛇行理论)的直接证实都源自中子散射或反射。
中物院小角中子散射谱仪及其在高分子材料研究中的应用
【摘 要】
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小角中子散射(SANS)技术在高分子材料研究中有着不可比拟的优势，高分子领域两个诺贝尔奖工作(Flory 的高分子链构象统计理论和de Gennes 蛇行理论)的直接证实都源自中子散射或反射。
【机 构】
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中国工程物理研究院 核物理与化学研究所 绵阳 621900 中国工程物理研究院材料研究所 绵阳 6
【出 处】
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2015年全国高分子学术论文报告会
【发表日期】
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2015年7期
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