【摘 要】
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采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85℃范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频
【机 构】
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中国电子科技集团公司第三十八研究所,合肥,230088
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采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85℃范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.
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