【摘 要】
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本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,在得出HBT正、反向工作电流解析模型的基础上,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析.
【机 构】
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西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,在得出HBT正、反向工作电流解析模型的基础上,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析.
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