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本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导电区可以得到一定的恢复而形成一种NPN的电结构.
对N型InP注入氦离子的电特性研究
【摘 要】
：
本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
：
2001年期
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