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MgxNi100-xPd薄膜室温下优越的储氢及电化学性能

来源 :“氢”出于蓝·2013全国博士生学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhut2009

【摘 要】

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　　本文通过磁控共溅射Mg,Ni靶制备了100 nm厚的MgxNi100-x薄膜,然后通过磁控溅射Pd靶在MgxNi100-x薄膜上覆盖10 nm厚的Pd.在磁控共溅射制备Mg84Ni16/Pd与Mg48Ni52/Pd薄膜的

【作 者】

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刘彤 曹玉荣 辛恭标 李星国 

【机 构】

：

北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京市海淀区学院路37号,100191北京大学,化学与分子工程学院,北京市海淀区颐和园路5号,100871

【出 处】

：

“氢”出于蓝·2013全国博士生学术论坛

【发表日期】

：

2013年9期

【关键词】

：

磁控溅射 薄膜 储氢 电化学性能 

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　　本文通过磁控共溅射Mg,Ni靶制备了100 nm厚的MgxNi100-x薄膜,然后通过磁控溅射Pd靶在MgxNi100-x薄膜上覆盖10 nm厚的Pd.在磁控共溅射制备Mg84Ni16/Pd与Mg48Ni52/Pd薄膜的过程中直接原位生成了Mg2Ni andMgNi2相.在0.1 MPa氢气,298 K下研究了薄膜的储氢性能.与Mg94Ni6/Pd,Mg48Ni52/Pd薄膜相比,Mg84Ni16/Pd薄膜在45s内即吸氢完毕,表现出最快的吸氢动力学.在室温下测试了MgxNi100-x/Pd薄膜的电化学性能.Mg84Ni16/Pd薄膜在第一个循环就已经活化,Mg84Ni16/Pd薄膜的最大放电容量为482.7 mAh g-1,在这三个薄膜中是最高的.

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