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通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区"平台"现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合.外加垂直磁场抑制电子共振能级隧穿,引起峰值电流随磁场线性减小,导致峰谷电流比下降,同时峰值电压也发生相应的变化。
垂直磁场下GaAs/AlAs/InGaAs应变RTD电流输运特性研究
【摘 要】
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通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区"平台"现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合.外加垂直磁场抑制电子
【机 构】
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上海电力学院,电子科学与技术系,上海,200090
【出 处】
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第一届中国高校通信类院系学术研讨会
【发表日期】
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2007年期
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