【摘 要】
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相变域非晶硅薄膜由于兼具稳定性和高光敏性成为光伏领域的研究热点。迁移率寿命乘积（μτ）反映材料的输运特性,是硅薄膜材料的重要参数。本文从μτ的角度，分析了相变域硅薄膜的稳定性及光电特性。结果表明随着微晶成分的增大，材料的μτ值增大，与典型非晶相比，相变域硅薄膜的μτ值增大了2－3 个数量级。光致衰退实表明，24 小时光照后，相变域硅薄膜的μτ值几乎不变。说明此区域硅薄膜具有较好的稳定性。
【机 构】
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中科院半导体研究所表面物理实验室 100083;中国地质大学（北京） 100083 中科院半导体研
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相变域非晶硅薄膜由于兼具稳定性和高光敏性成为光伏领域的研究热点。迁移率寿命乘积（μτ）反映材料的输运特性,是硅薄膜材料的重要参数。本文从μτ的角度，分析了相变域硅薄膜的稳定性及光电特性。结果表明随着微晶成分的增大，材料的μτ值增大，与典型非晶相比，相变域硅薄膜的μτ值增大了2－3 个数量级。光致衰退实表明，24 小时光照后，相变域硅薄膜的μτ值几乎不变。说明此区域硅薄膜具有较好的稳定性。
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