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Φ300mm硅单晶生长工艺研究
Φ300mm硅单晶生长工艺研究
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q3356367
【摘 要】
:
该文讨论了Φ300mm硅单晶生长中新问题,分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响,磁场条件和设备稳定控制是Φ300mm硅单晶生长的基本条件,热场配置和拉晶工艺是控制大直
【作 者】
:
吴志强
张果虎
常青
方锋
【机 构】
:
有色金属研究总院半导体中心北京有色金属研究总院半导体中心
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
单晶生长
稳定控制
大直径单晶
设备
热场
晶体生长
工艺
热对流
配置
磁场
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该文讨论了Φ300mm硅单晶生长中新问题,分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响,磁场条件和设备稳定控制是Φ300mm硅单晶生长的基本条件,热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
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