Φ300mm硅单晶生长工艺研究

来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q3356367
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该文讨论了Φ300mm硅单晶生长中新问题,分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响,磁场条件和设备稳定控制是Φ300mm硅单晶生长的基本条件,热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
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