【摘 要】
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在空间环境中，航天器中的CMOS集成电路中的CMOS半导体元器件存在阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加的效应。其中，衬底漏电流增加能够引起CMOS半导体器件重要的性能退化，甚至导致CMOS集成电路失效。本文基于标准CMOS工艺，针对CMOS集成电路在辐照环境中衬底电流增加的问题，对紫外探测器读出电路版图进行了抗辐照加固设计，在读出电路中的关键部分增加了保护环并采用了
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院大学研究生院,北京,100049 中国
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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在空间环境中，航天器中的CMOS集成电路中的CMOS半导体元器件存在阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加的效应。其中，衬底漏电流增加能够引起CMOS半导体器件重要的性能退化，甚至导致CMOS集成电路失效。本文基于标准CMOS工艺，针对CMOS集成电路在辐照环境中衬底电流增加的问题，对紫外探测器读出电路版图进行了抗辐照加固设计，在读出电路中的关键部分增加了保护环并采用了环形栅，旨在提高紫外探测器的抗辐照性能。为了验证采用抗辐照加固读出电路后紫外探测器的抗辐照性能，对紫外探测器组件进行了抗总剂量辐射试验。从试验结果可以看到，采用抗辐照加固设计后，在总剂量500Gy辐照环境中读出电路电流增速变缓，抑制了CMOS集成电路在接受辐照时衬底电流增加效应。同时，失效时所受总辐照剂量提高。说明紫外探测器抗辐照性能得到提高，具有较强的抗辐照能力，为日后抗辐照紫外探测器读出电路的研制以及紫外探测器组件抗辐照性能分析奠定了坚实的基础。
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