论文部分内容阅读
用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅的平均晶粒尺寸与a-Si:H的沉积条件和退火条件的关系:测量了多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,并讨论了影响它们的因素.
多晶硅薄膜的固相晶化法制备及光电特性研究
【摘 要】
：
用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅的平均晶粒尺寸与a-Si:H的沉积条件和退火条
【机 构】
：
汕头大学物理系(汕头)
【出 处】
：
第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
【发表日期】
：
2001年期
其他文献
本文报道用等离子体增加化学气相沉积方法在单晶硅和玻璃衬底上低温生长GeSi薄膜,用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱和反射谱、透射谱等进行测量对样品的结构、成分和
会议
在我国灌注桩后注浆施工技术管理中仍然具有一些不足之处，不管是在现场管理实施方面还是在管理本身的制度方面，不可避免地出现各种各样的问题，因此我们更加要重视灌注桩后注浆施
三维地形图测绘技术在早期二维数字地形图的基础上增强了空间性和丰富性，本文通过笔者对三维数字地形图测绘技术的应用总结，探讨了测绘关键技术及应用方法，希望为同行业发展提供
本文报道用共蒸发法并辅助原位退火在单晶硅上制备稀土硅化物外延层.利用2.5MeVLi卢瑟福背散射研究了外延层中的原子浓度及其分布,用红外透射谱和喇曼光谱测量得到了不同退火
会议
采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ
会议
在建筑设计的过程中自然通风技术一直是一种有效的节能手段，而且还可以提高室内环境，增加居住舒适度。本文分析了几类自然通风的设计原理，并且对国内外优秀的设计理念进行分析，着
用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的SiGeC三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究激光退火条件对薄
会议
本文采用偏压辅助射频溅射法,在高阻单晶硅(100)和316L不锈钢双面杯衬底上沉积SiC薄膜,研究了射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响.在不同射频功率下制备SiC薄膜,并测试了Si
当前，城市建筑正向着大型化、高层化、地下化的方向快速发展。水暖安装工程作为土建施工的附属工种，与土建施工关系密切，直接影响着工程的进度和质量。而且其完成质量的好坏对于
将热丝(钨丝)作为催化器平等地抛引入等离子体增强化学气相沉积,建立热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度、射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T对
会议