【摘 要】
:
本文介绍了一种新型真空电子器件集成行波管的基本概念,给出了主要仿真计算结果,进行了多电子注流通管实验并得到95%以上的电子注流通率.该器件通过集成的方法可以极大地降低单个行波管所占用的平均横截面积.对于真空电子器件如何应用到有源相控阵系统具有重要的研究价值.
【机 构】
:
北京真空电子技术研究所 北京100015 西南应用磁学研究所 绵阳621000
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
论文部分内容阅读
本文介绍了一种新型真空电子器件集成行波管的基本概念,给出了主要仿真计算结果,进行了多电子注流通管实验并得到95%以上的电子注流通率.该器件通过集成的方法可以极大地降低单个行波管所占用的平均横截面积.对于真空电子器件如何应用到有源相控阵系统具有重要的研究价值.
其他文献
采用垂直石墨烯为阴极进行场发射性质测试,结果表明生长在铜基底上的垂直石墨烯具有低的开启电场和闽值电场。为了提高一维纳米材料的场发射性质和改善屏蔽效应对其的影响,采用Mo网作为模板在Si(111)基底上得到由催化剂纳米粒子形成的图案,通过化学气相沉积方法制备出大面积、分布均匀图案化的碳化硼纳米线。B4C纳米线的平均直径约为30nm,长度为20μm,且纳米线的生长具有一定方向性。与未图案化的B4C纳米
氧化钨纳米材料由于具有较低的开启电场和阈值电场,能够在较为温和的条件实现场致电子发射,所以被认为是一种优良的冷阴极纳米材料.但是近年来氧化钨纳米材料在场发射领域的发展遭遇到了一个瓶颈,即它的场发射均匀性无法满足其在平板显示领域的技术要求.本文中,提供一种原位等离子体处理工艺,可以有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射特性.实验结果表明:经过本工艺处理后的氧化钨纳米线阵列发射址的分布均匀性高达88.2%,
本文采用光刻,电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构,硅棱顶部通过氧化削尖,并最终制作一层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管,左右电极分别称为阴极(cathode)和栅极(gate)。
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si衬底上,以CH4和H4为反应气体制备了纳米片状结构碳膜.利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对碳膜的结构和表面形貌进行了研究.在高真空系统中测量了纳米片状碳膜的场发射特性,纳米片状碳膜具有良好、稳定的场发射特性.当电流增加到10V/μm时,场发射电流达到66mA/cm2.将场发射电流数据分成三个区域,修改了传统的F-N模型和引入空间电荷限制电流(SCLC)
新型FGD器件结合场发射与气体放电技术,不仅解决了FED高真空的问题,而且较PDP有更高的发光效率,及更低的功耗等优点.本文介绍了新型FGD的器件结构,并对其场发射源进行测试.而目前对该器件驱动方面的相关研究还十分罕有,本文通过结构与原理的对比,提出了适用于该器件结构的驱动方法,对该器件的研究有重要的发展意义.
本文采用高温催化热解化学气相沉积法在光纤上生长碳纳米管,研究了激光波长为375nm的光辅助场对碳纳米管场发射特性的影响.实验结果表明,光纤表面覆盖着垂直生长的碳纳米管,该结构的场发射冷阴极降低了碳管发射尖端的电场屏蔽效应,有利于增强碳管的场发射特性;实验中还比对了没有光学辅助场时碳纳米管的场发射特性,发现激光光场作为辅助场,降低了碳纳米管的场发射阈值电压,增强了场发射电流,有利于碳纳米管发射电子,
采用电泳沉积法,在Ag浆导电厚膜衬底电极上制备石墨烯场发射阴极.研究不同电泳电流对石墨烯阴极表面形貌和场发射性能的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)对其进行形貌表征,结果表明,随着电流的增大,石墨烯阴极的厚度不断地增加.场发射测试结果表明:不同电泳电流下制备的石墨烯阴极的场发射性能不同.在电泳电流为6mA时,所获得的石墨烯层均匀连续,其场发射性能最佳,开启场强为0.64V/μm,阈值电场为0.99
本文分析了常用的热压缩夹具的缺陷,研究了膨胀系数差造成的间隙对夹具性能的影响,进而提出新结构热压缩夹具的改进方案,并应用于具体管型,结果表明新方案比老结构夹具具有更好的性能.