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<正>光刻工艺是集成电路芯片制造的核心工艺。为降低经济和时间成本,光刻工艺的研发通常是在特定光刻机上完成,芯片量产时将光刻工艺转移到多台光刻机上。不同光刻机的光刻性能的差异会导致光刻工艺转移失败。为实现光刻工艺快速转移、扩大产能并提高芯片制造成品率,必须进行光刻机性能匹配,即通过调整光刻机可调参数使得多台光刻机的成像性能保持一致。基于特征尺寸(CD)或图形轮廓的匹配方法采用曝光实验确定可调参数对CD或图