A three-dimension model of Filtered Cathodic Vacuum Arc Deposition

来源 :第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jtls
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  Diamond-like Carbon films - which have wide applications – exhibits excellent mechanical, electric, optical, thermal, biocompatible properties. Filtered Cathodic Vacuum Arc Deposition (FCVAD) is a well-established method to obtain DLC coatings and compounds films. Owing to the property of fully ionized plasma and filtering the micro-droplets, FCVAD has been widely accepted and utilized. However, the curved magnetic duct also result in the uniformity of current distribution along the edge of certain rectangular-shaped cross sections and ion current loss to the duct.
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为了研究载流条件下铜-石墨复合材料/铬青铜摩擦配副在不同条件下的摩擦学性能,本文借助于HST-100高速载流摩擦磨损试验机,研究了不同电流和速度的大小对铜-石墨复合材料摩擦系数和磨损率的影响,利用扫描电子显微镜镜(SEM)和X射线能谱仪(XRD)等对磨损表面进行了表征,并对摩擦表面的形貌进行了观察和分析。结果 表明:电流和速度是影响铜-石墨复合材料载流摩擦磨损性能的重要因素。在速度一定的条件下,随
石墨烯基高分子纳米复合材料由于其优异的物理化学性能而受到广泛的关注.然而,石墨烯片层间存在π-π键相互作用,使得石墨烯在高分子基体中难以均匀分散.本文中,我们利用聚丁基苯胺(PoBA)作为分散剂,通过使用红外、拉曼、紫外和XPS的表征证明石墨烯通过π-π键相互作用在多种溶剂中稳定分散.石墨烯环氧复合涂层由环氧树脂、PoBA功能化的石墨烯和聚酰胺固化剂制备.我们通过电化学测试来表征环氧涂层的防腐蚀性
本文采用多靶射频磁控溅射制备具有自形成纳米多层结构的MoS2/Mo-S-C薄膜。其断面方向由(002)晶面择优MoS2富集层与Mo-S-C非晶复合层交替沉积,且其生长过程并不受沉积过程中样品盘的转动及转速影响,而主要取决于低能离子轰击下的互扩散作用。通过HRTEM观察到,该薄膜在生长初期,即薄膜-基体界面附近存在明显的层间界面,而后随着薄膜生长开始出现层间界面的互扩散。与溅射纯MoS2薄膜相比,该
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采用等离子体基低能离子注入,在380℃低温条件下改性0 wt.%-18 wt.%Cr等七种奥氏体合金以及AISI 304L奥氏体不锈钢.随着奥氏体合金Cr含量增加,金相观察发现改性层具有的双亚层结构逐渐转化为与AISI 304L奥氏体不锈钢相同的单层结构,磁力显微镜观察的改性层,均表现为不同磁性的双亚层结构.GDS和EPMA成分测量发现改性层亚层具有连续的氮浓度—深度分布,且亚层间界面逐渐消失.广
等离子体聚合法是一种制备聚合物薄膜的有效方法,由于其远离平衡态的工艺方法和不依赖改性表面性质的生长工艺特点,可用几乎所有的有机化合物进行聚合,获得具有无针孔、高度交联、非晶质的聚合物薄膜,实现材料表面的亲水性、疏水性、耐腐蚀性、耐磨性、导电性、绝缘性等各种功能改性。同时,也可进行多种不同化学结构单体共聚,沉积具有复合性能的等离子体共聚薄膜,获得材料表面的功能性调控。本文采用射频容性耦合等离子体,选
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为研究用内氧化法制备不同Al含量对Cu-Al2O3复合材料组织性能的影响,首先采用雾化法制备出不同Al含量的Cu-Al粉末,通过计算得出需要加入的氧化剂(CuO)的含量,将粉末混合均匀,进行内氧化,并在还原气氛中将粉末中多余的氧还原,再经过压制烧结得到Cu-Al2O3复合材料。最终对制得的材料进行检测,结果表明最终制得的Cu-Al2O3复合材料中Al2O3能够均匀分布于铜基体中,且Al含量与材料摩