【摘 要】
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采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ-Si，Nitrogen-doped Czochralski Silicon），研究了不同快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）温度和降温速率对快中子辐照NCZ-Si中氧沉淀及其诱生缺陷的影响。样品经过不同温度和降温速率的RTP处理后，再经过1100 ℃/20 h常规退火，以形成氧沉淀。实验结果表明：高温RTP
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津 300130 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ-Si，Nitrogen-doped Czochralski Silicon），研究了不同快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）温度和降温速率对快中子辐照NCZ-Si中氧沉淀及其诱生缺陷的影响。样品经过不同温度和降温速率的RTP处理后，再经过1100 ℃/20 h常规退火，以形成氧沉淀。实验结果表明：高温RTP处理后，快中子辐照掺氮单晶硅中间隙氧含量上升，而且辐照剂量越大，间隙氧含量上升也多；快速热处理有助于后期退火中清洁区（DZ，Denuded Zone）的生成，预处理温度越高，形成的DZ越宽；快速热处理的降温速率影响氮氧复合体的生成，高的降温速率有助于氮氧复合体的生成，同时会降低DZ的宽度。
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