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为了改善BiFeO3(BFO)基薄膜的铁电、磁性和磁电耦合等性能，采用化学溶液沉积(CSD)方法，在低磁场(O-1T)下制备了BFO基薄膜，包括Y、Gd掺杂的BFO薄膜，通过对薄膜的微结构、电性、磁性及磁电耦合性能的系统研究，发现磁场下制各的薄膜具有较大的晶粒尺寸和室温介电常数，较高的(OO1)取向度，致密的薄膜表面、较小的漏电流。同时，磁场对薄膜的磁性能有一定的改善作用，这主要是由于退火磁场提供了额外的生长驱动力，并提高磁性晶粒沿外磁场方向的排列程度，研究结果表明低磁场下的制备可有效提高CSD方法制备BFO基薄膜的致密性和改善其性能。这为今后进一步开展高磁场下的BFO基薄膜制备与研究工作奠定了基础。