【摘 要】
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随着GaN基半导体材料和器件的发展,异质衬底(如蓝宝石、碳化硅等)外延生长始终限制着高质量GaN外延膜的获得,因此GaN同质自支撑衬底的实现一直是重要的研究课题之一.许多研究组分别通过激光[1]、机械[2]、湿法腐蚀等剥离技术来分离GaN,但这些方法仍然不可避免地影响了界面表面的晶体质量和器件性能.
【机 构】
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福建省半导体材料及应用重点实验室,物理与机电工程学院,厦门大学,厦门361005 宽禁带半导体研究
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随着GaN基半导体材料和器件的发展,异质衬底(如蓝宝石、碳化硅等)外延生长始终限制着高质量GaN外延膜的获得,因此GaN同质自支撑衬底的实现一直是重要的研究课题之一.许多研究组分别通过激光[1]、机械[2]、湿法腐蚀等剥离技术来分离GaN,但这些方法仍然不可避免地影响了界面表面的晶体质量和器件性能.
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