BiSrCaCu<O/I/Zn隧道结的制备和隧道谱

来源 :第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sznc
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报道了用锌膜作对电极制备的高温超导Bi<,2>Sr<,2>CaCu<<2>O<,8+□>B(Bi2212)单 晶/I/Zn平面隧道结的工艺及该结构的隧道谱研究,给出了Bi2212的能隙和赝隙及它们随温 度的变化。发现超导能隙基本遵从BCS温度依赖关系,在Tc附近能隙不连续地过渡到赝隙, 赝隙的最大幅值为能隙的1.5-2倍,赝隙的打开温度可达室温。隧道谱还给出了结区Bi2212 的Tc的测量以及其的序参量为d波对称的新证据。
其他文献
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