论文部分内容阅读
传统的电互连因其有限带宽和高功耗，发展遇到了瓶颈。硅基光互连被认为是最有前景的下一代互连技术。但是，由于硅是一种间接带隙的半导体材料，发光效率非常低，实现CMOS 工艺可兼容的硅基通信波段发光是巨大的挑战，亟需突破。锗量子点具备容易制作，发光波段在通信波长内，与CMOS 工艺兼容等优点，因此被认为是一种实现硅基发光器件的可能的途径。现阶段的硅基锗量子点发光器件多是模式体积较小的微腔发光器件，参与发光的量子点数目较少，发光功率仅为pW 量级。本文以提高器件发光功率为目标，在包含有35 层锗量子点的790nm 厚顶层的SOI 上设计大模式体积，具有PIN 电注入结构的脊波导1/4 相移DFB 谐振发光器件，并进行了EL 发光测试。