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本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了单脉冲宽度62ns的调Q波形输出.
离子注入半绝缘Si-GaAs做Nd:YAG激光器被动调Q元件的实验研究
【摘 要】
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本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院(北京)
【出 处】
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2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会
【发表日期】
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2003年期
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