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使用净杂质浓度约为10[**]原子/cm的P型高纯锗单晶，研制出平面型高纯锗低能γ射线探测器，其有效直径为16mm，厚度为8mm，有一Li扩散的N[*+*]接触和金属耙势垒P[*+*]接触。为增加击穿电压，减小表面漏电流，将此探测器做成凹槽式结构，耗尽电压为900V，工作电压为1600V，漏电流为1×10[*-11*]A。对[**]Am59.6KevX射线测得的能量分辨率为670ev。经多次低温—室温—低温的热循环及大气—真空的循环，证明探测器性能保持不变。（王太和摘）