新型结构850nm垂直腔面发射半导体激光器热特性分析

来源 :第二十届全国激光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qunimad41197579
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  传统的环形电极结构垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),注入到有源区的工作电流只是在环形区域附近很窄的地方,使器件内部热场分布变得不均匀,影响器件的输出特性.本文提出了一种新型花瓣状电极结构,形成若干独立的出光孔,使器件内部热场变得均匀,对器件输出特性有明显的改善.利用分子束外延(MBE)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As三量子阱有源区结构,采用渐变结构的A1GaAs作为DBR.在同一片外延片上用相同的工艺制备环形电极和花瓣状电极两种结构.同时利用ANSYS有限元热分析软件模拟了两种不同电极结构器件内部热场的分布.通过分析对比,新型花瓣状电极结构器件的热特性和稳定性明显优于传统环形电极结构器件.
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