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随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用SiGe源漏结构的PMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况。模拟结果与CBED实验测量数据能够较好地吻合，证明了利用有限元法分析应变硅器件中硅沟道的应变结果是可信的。结果表明沟道表面的应变达到-0.56％，明显高于内部更深处的应变。