1.5-10GHz超宽带低噪声放大器的研制

来源 :1997全国微波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winbourbit
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该文概述了一种为军工配套而研制的1.5-10GHz宽带低噪声放大器的设计,在整个工作通带内增益大于40dB,噪声系数小于3.5dB。
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该文概述了为国防科研配套的12千兆赫低噪声放大器,在环境温度为77°的工作条件,获得了如下的特性:工作宽带1千兆赫,增益35dB,噪声系数为0.3dB。
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报道了南京电子器件研究所研制的Ku波段HEMT单片低噪声放大器的研究结果。利用CAD软件对单片电路进行了优化设计,设计工作包括MBE材料、器件和电路三部分。
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报道了两种结构的InP基赝晶InAlAs-InGaAs HEMT材料及器件的设计与制作基础工艺,实现了直流特性良好,最大跨导分别高达550mS/mm和750mS/mm的器件样品。
该文介绍了一种设计制作Ku频段宽带低噪声放大器的方法,放大器采用四级HEMT级联放大技术,利用HP-EESOF软件进CAD设计,最终达到的技术指标为:在10.95~12.75GHz的频率范围内,功率增益大于50dB,噪声系数1.4~1.9dB,1dB压缩点输出电平大于