钆离子在6.3nm波长附近的光谱特

来源 :第十七届全国原子与分子物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Air8712

【摘要】

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微电子技术的飞速发展,对下一代光刻(NGL)技术提出了更高要求,其中极端远紫外光刻(EUVL)技术在各种光刻技术中最为引人注目.研究认为发射波长为6.x nm的极端远紫外(EUV)光源

【作者】

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胡峰蒋刚杨家敏

【机构】

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徐州工程学院数学与物理科学学院,徐州221400四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900

【出处】

：

第十七届全国原子与分子物理学术会议

【发表日期】

：

2013年7期

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微电子技术的飞速发展,对下一代光刻(NGL)技术提出了更高要求,其中极端远紫外光刻(EUVL)技术在各种光刻技术中最为引人注目.研究认为发射波长为6.x nm的极端远紫外(EUV)光源是另一种比较理想的选择.应用多组态Dirac-Fock方法,系统计算了钆(Gd)离子在6.3 nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率.

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