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在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即a-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm[*2*]的金属铝(Al)膜,从而形成一种Al/a-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常情况不同,当加偏压金属Al为负时出现电流的导通态,而加偏压Al为正时出现电流的截止态。作者对这种结果及载流子输运过程进行了讨论。(本刊录)