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该文采用Raman、IR和XRD等分析方法研究了氧化热处理过程中一次烧成SrTiO<,3>复合功能陶瓷的结构变化。研究结果表明,还原烧成过程中陶瓷体内产生大量氧空位,促进了晶粒半导化;氧化热处理过程中氧扩散进入陶瓷体内,填充晶粒表面层的氧空位,降低了晶粒表面层氧空位的浓度。该文认为氧向陶瓷体内扩散是改变SrTiO<,3>陶瓷晶界特性并产生复合功能效应的主要原因。