论文部分内容阅读
本文以1.2u双层铝CMOS大规模集成电路中最常用的一种输入保护形式为例、对LDD（轻掺杂漏），MDD（中等掺杂漏）和DDD（双扩散漏）器件结构及抗静电能力进行了进一步的实验研究。三种器件对ESD的敏感性进行了比较。利用特定的解理、腐蚀、染色技术，并用场发射扫描电镜（SEM FEG）拍出了三种不同器件纵向结构的剖面照片。