2.1GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

来源 :2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shangdianxitongguanl

【摘要】

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介绍了一个针对无线通讯应用的2.1GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25μmCMOS工艺,电源电压为2.5V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真

【作者】

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黄海云孙玲玲文进才王卉张晓红

【机构】

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杭州电子科技大学微电子CAD研究所,浙江,杭州,310018

【出处】

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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

低噪声放大器设计噪声系数芯片面积无线通讯模拟结果仿真结果电源电压电路增益优化应用压缩显示功耗工艺电感

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介绍了一个针对无线通讯应用的2.1GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25μmCMOS工艺,电源电压为2.5V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果.模拟结果显示,该电路能提供21.63dB的正向增益(s21),功耗为12.5mW,噪声系数为2.1dB,1dB压缩点为-19.0541 dBm.芯片面积为0.8×0.6mm2.

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