【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜，结合薄膜面电阻和微观结构，采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明：在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向
【机 构】
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中国建筑材料科学研究总院，北京市 100024
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采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜，结合薄膜面电阻和微观结构，采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明：在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动，光学带隙展宽，红外等离子共振吸收波长向短波方向移动；随氧分压增加紫外吸收波长明显向长波方向移动，光学带隙变窄，红外等离子共振吸收波长向长波方向移动；根据Burstein-Moss移动理论及XRD、AFM 结果，说明温度升高改善ITO薄膜结晶程度，提高Sn掺杂效率，载流子浓度增加；相同温度条件下随氧分压的增加使氧空位减少，载流子减少，并且氧分压的影响更为显著。
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