【摘 要】
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类石墨型氮化碳(g-C3N4)是一种非金属半导体材料,具有较窄的禁带宽度(～2.7 eV),对可见光有明显的吸收.并且g-C3N4 成本低廉、简便易得(煅烧尿素、三聚氰胺等前驱体即可制
【机 构】
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东北师范大学,长春,130024,中国
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类石墨型氮化碳(g-C3N4)是一种非金属半导体材料,具有较窄的禁带宽度(～2.7 eV),对可见光有明显的吸收.并且g-C3N4 成本低廉、简便易得(煅烧尿素、三聚氰胺等前驱体即可制备).2009 年,王心晨等人首次利用g-C3N4 作为光催化剂在可见光照射下光解水制氢,发现其产氢效率较高.[1]此后,g-C3N4 作为一种具有潜在应用前景的半导体材料,得到人们的广泛研究.但是,由于常规方法所制备的g-C3N4 比表面积较小,光生电子-空穴的复合率较高,极大阻碍了其光催化性能的提高.为提高g-C3N4 的光催化活性,目前人们通常采用构建异质结构的方法用来增加g-C3N4 的电子和空穴分离率,从而达到提高其催化活性的目的.我们知道异相催化反应是一个界面反应过程,如果提高催化体系的比表面积则能使催化过程更加有效,催化活性可以得到进一步提高.我们预测如果在提高g-C3N4 电子-空穴分离率的同时,又可以提高所制备的氮化碳基复合物的比表面积,那么所制备的氮化碳基复合物的光催化活性有可能得到很大地提高.
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