【摘 要】
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CIGSe/Mo 界面处较薄的MoSe2 层促进空穴传输,有利于器件性能提高,而过厚的MoSe2 层使得CIGSe 薄膜太阳电池器件的串联电阻增大,恶化器件性能[1-3].采用脉冲电沉积法制备Cu/In/Ga 金属预制层后续三步后硒化制备CIGSe 吸收层,通过调节三步后硒化工艺实现Ga 含量分布的控制[4].研究发现在CIGSe/Mo 界面处Ga 含量影响MoSe2 的形成.CIGSe 背部Ga
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
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CIGSe/Mo 界面处较薄的MoSe2 层促进空穴传输,有利于器件性能提高,而过厚的MoSe2 层使得CIGSe 薄膜太阳电池器件的串联电阻增大,恶化器件性能[1-3].采用脉冲电沉积法制备Cu/In/Ga 金属预制层后续三步后硒化制备CIGSe 吸收层,通过调节三步后硒化工艺实现Ga 含量分布的控制[4].研究发现在CIGSe/Mo 界面处Ga 含量影响MoSe2 的形成.CIGSe 背部Ga 含量较高时,MoSe2 层较薄；Ga 含量较低时,CIGSe 背部MoSe2 层较厚.通过控制三步后硒化工艺调控Ga 元素分布,可实现CIGSe/Mo 界面处MoSe2 厚度可控的后硒化工艺,并基于该方法制备出效率为11.22％的CIGSe 薄膜太阳电池.
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