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计算电子被分子散射总截面的简单模型
计算电子被分子散射总截面的简单模型
来源 :第八届原子与分子物理全国学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huxiaoshenshan2010
【摘 要】
:
该文基于复光学势模型,计算了电子与C、H原子散射总截面。利用可加性规则和与能量有关几何屏蔽模型,在电子入射能量10-1000eV内,计算了电子波C〈,3〉H〈,6〉和C〈,3〉H〈,8〉分子散射总截面,在较高能量区
【作 者】
:
江玉海
曹继革
【机 构】
:
师范大学物理系
【出 处】
:
第八届原子与分子物理全国学术会议
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
计算
电子波
分子
散射总截面
入射能量
可加性规则
实验测量
屏蔽模型
势模型
高能量
原子
几何
光学
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该文基于复光学势模型,计算了电子与C、H原子散射总截面。利用可加性规则和与能量有关几何屏蔽模型,在电子入射能量10-1000eV内,计算了电子波C〈,3〉H〈,6〉和C〈,3〉H〈,8〉分子散射总截面,在较高能量区间,计算结果和实验测量较好地一致。
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