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该文用ＳＦ６和ＣＨＦ３气体对热氧化生长的ＳｉＯ２进行等离子刻蚀新工艺研究，根据ＳＦ６和ＣＨＦ３对二氧气硅及硅刻蚀速率和选择性的不同，采用ＳＦ６∶ＣＨＦ３为１∶１．５和１∶２５两种流量比，经过两步等离子刻蚀工艺，获得了０．８微米的线条，经测量，结果表明刻蚀不均匀性小于５℅，选择性大于８。ＳＥＭ剖面照片也表明线条边缘清晰，刻蚀平整。（本刊录）