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介绍了LeTID研究进展、GCL抗LeTID研究进展、LeTID测试标准以及关于LeTID的部分观点:烧结温度与LeTID关系少子寿命衰减曲线分为一个快速衰减阶段和一个慢速指数衰减阶段;650℃烧结的硅片无衰减;存在一个临界温度,介于650℃和900℃之间。
多晶PERC电池LeTID研究进展及相关测试标准
【摘 要】
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介绍了LeTID研究进展、GCL抗LeTID研究进展、LeTID测试标准以及关于LeTID的部分观点:烧结温度与LeTID关系少子寿命衰减曲线分为一个快速衰减阶段和一个慢速指数衰减阶段;650℃烧结的硅片无衰减;存在一个临界温度,介于650℃和900℃之间。
【机 构】
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协鑫集成
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2018年11期
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