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某所的红外焦平面芯片，在生产过程中发现成品率较低，主要原因是漏电流大。多们通过对几个批次产品的统计分析，确定了主要的失效模式；利用液晶分析，E-Beam光辐射显微镜对成品进行了失效定位和失效机理分析；而且通过分析关键工序的半成品揭示了主要失效机理。我们发现光刻缺陷引起的金属布线互连、划伤引起的金属布线互连以及光刻缺陷造成的多晶硅栅条互连是造成漏电的原因。