用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析

来源 :2006中国平板显示学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiazibin
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以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对成膜的影响,通过XRD分析确定本实验系统的最佳的多晶硅成膜条件.通过接触式膜厚仪测量,计算出薄膜生长速率为0.6nm/s.通过对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行逐层XRD和SEM测试,分析了薄膜的生长机制,认为薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长,最终形成柱状晶粒.(111)面上的晶粒尺寸为50nm左右.
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