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本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm<2>的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.
碳化硅X射线光刻掩膜初步研究
【摘 要】
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本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.
【机 构】
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中科院微电子中心
【出 处】
：
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2001年期
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