论文部分内容阅读
采用XPS技术分析了不同气体制备的IGZO薄膜在退火前后的各元素组分的变化情况,发现IGZO薄膜中氧元素的不同化学状态含量与溅射气体以及退火工艺密切相关.利用XPS对每组IGZO样品的价带谱进行采集和分析,观察到氧含量对IGZO薄膜价带顶的位置有直接的影响,这对IGZO-TFT的电学性能以及工作稳定性具有重要影响.