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本文对不同离焦条件普通200 kV LaB6灯丝电镜(点分辨本领0.194 nm)A1Sb/GaAs(001)界面(样品厚度为0.4 nm)高分辨模拟像，进行解卷处理和几何相位分析，研究界面失配位错核心原子结构与其应变分布的对应关系，从而加深对界面微观特性的认识。
AlSb/GaAs(001)界面失配位错核心原子结构与应变分布
【摘 要】
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本文对不同离焦条件普通200 kV LaB6灯丝电镜(点分辨本领0.194 nm)A1Sb/GaAs(001)界面(样品厚度为0.4 nm)高分辨模拟像，进行解卷处理和几何相位分析，研究界面失配位错核心原子
【出 处】
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2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
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2012年期
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