【摘 要】
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该文采用共沉淀与机械物理固相效应相结合的方法，经过电价掺杂半导化工艺制备了高纯纳米n型BaTiO，以此半导化粉体为原料，进行异质p型CuO半导化粉体掺杂，烧渗导电银浆，研制了一种新型纳米CuO-BaTiO半导体电容型CO气敏元件。经CO气敏特性测试动态实验装置，考察了该元件对CO气体的敏感性能。实验结果表明，所制元件的电容性质在400-750K温度范围内，对CO气体均呈现一定的敏感特性，属于电容型
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该文采用共沉淀与机械物理固相效应相结合的方法，经过电价掺杂半导化工艺制备了高纯纳米n型BaTiO<,3>，以此半导化粉体为原料，进行异质p型CuO半导化粉体掺杂，烧渗导电银浆，研制了一种新型纳米CuO-BaTiO<,3>半导体电容型CO<,2>气敏元件。经CO<,2>气敏特性测试动态实验装置，考察了该元件对CO<,2>气体的敏感性能。实验结果表明，所制元件的电容性质在400-750K温度范围内，对CO<,2>气体均呈现一定的敏感特性，属于电容型气敏元件。该元件可测CO<,2>气体浓度范围广(0℅～95℅)，低浓度(0-5℅)范围内，浓度与电容变化呈线性关系，利于直接标定，是一种很有发展前途的新型气敏元件。
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该文采用溶胶－凝胶技术制备了ZnSnO粉末及薄膜，并对其结构和气敏性能进行了测试。发现ZnSnO薄膜对CHSnO有良好的灵敏度，同时还用XRD、SEM对ZnSnO结构进行了分析。
微机械加工技术是提高射频通信关端器件性能、缩小其体积的有效方法。文中介绍了应用MEMS(微电子机械系统)技术的体声波射频滤波器的原理、结构，分析了PZT的材料特性，优化了硅基薄膜的制备、退火、刻蚀等集成工艺，并在此基础上设计了以该材料为核心的射频滤波器，模拟了该器件的性能。
该文利用溶胶－凝胶法制取CO敏感基体材料纳米晶BaTiO，然后加入CuO制成电容式气敏元件，研究了反应物不同Ti/Ba摩尔比、掺入LaO和SnO对材料气敏性能的影响。
采用溶胶－凝胶法和超临干燥法制备了Cu/SiO气凝胶催化剂，研究了其对NO+CO反应的催化性能。实验结果表明，Cu/SiO气凝胶催化剂对NO+CO反应表现出较高的催化活性。
作者在多层纳米碳管样品光荧光实验中观察到很强的黄色荧光，发光强度表现出很强的对激发强度的非线性依赖关系。发光的特征表明发光源于纳米碳管本征的电子性质。与这促使作者对纳米碳管的电子结构及光跃迁作进一步的研究并发现了正确的光跃迁选择定则。
对形成单电子器件的典型串联双遂道结结构模型，通过求解含时薛定谔方程，计算了其隧穿电汉与偏压的关系。给出了PbS量子点自组装体系在室温下的1-V特性模拟数据，结果与实验符合得较好。
采用化学共沉淀法制备了ZnFeO纳米粉末材料。结构分析结果表明，化学共沉淀法制备ZnFeO纳米粉末颗粒细小均匀，形状完整。根据XPS分析，ZnFeO纳米粉末中存在大量氧空位。由于纳米尺寸效应的存在，纳米ZnFeO粉末材料具有铁磁性。
采用化学共沉淀法制备了稀土氧化物CeO纳米粉末材料。结构分析结果表明，化学共沉淀法制备的CeO纳米粉末颗粒细小均匀，形状完整。根据XRD、SEM分析CeO粉末粒子尺寸大小在20nm左右。
锆钛酸铅(PZT)作为一种性能优良的铁电材料，在许多领域中都得到应用。该文提出一种制备100μm～150μmPZT厚膜的工艺方法，并且在此基础上提出了一种工作于800M～4GHz的基于厚膜工艺的新型射频(RF)天线设计。在制备PZT厚膜中，设计采用了厚膜集成电路中常用的丝网印刷工艺，为了控制天线的频段和损耗，采用了平面光子带(UC-PBG)结构。该设计提出的射频天线具有优良的特性，尺寸比常规同频段
以SiO/Si,Au/SiO/Si和玻璃为基片，利用直流磁控溅射装置淀积了nc-ZnO薄膜，应用磁控溅射技术淀积压电nc-ZnO薄膜可以减小电子对nc-ZnO薄膜表面的轰击损伤，增加电子与反应粒子的碰撞几率，同时又减小界面应力，实验获得nc-ZnO薄膜的晶粒尺寸约为25nm，电阴率ρ＞10Ω·cm，晶面族(002)X射线衍射峰位置2θ=34.44，有很好的晶态c轴取向。