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为便于IC技术实现，建立基于MOS晶体管非线性物理特性的侧向抑制网络。通过平稳态下小信号线性近似以及SPICE程序模拟具体电路，分析、说明电路结构参数（连接强度、连接范围、连接强度分布等）对电路频率特性的影响。
基于MOS晶体管非线性特性的侧向抑制网络
【摘 要】
：
为便于IC技术实现，建立基于MOS晶体管非线性物理特性的侧向抑制网络。通过平稳态下小信号线性近似以及SPICE程序模拟具体电路，分析、说明电路结构参数（连接强度、连接范围、连接
【机 构】
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大学
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第十四届年会
【发表日期】
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1998年期
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