【摘 要】
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由于石墨烯的优异性能,具有非常广阔的应用前景,大尺寸、高质量的石墨烯的制备方法研究已迫在眉睫.而利用等离子体刻蚀SiC制备石墨烯成为重要的研究手段之一,利用双频容性耦合等离子体(DF-CCP)和多频电感耦合/电容耦合(ICP/CCP)混合放电等离子体的优越性,即以低频和高频驱动电源的组合来获得一种高密度,又能独立控制离子通量和能量,对富含氟的气体放电产生氟等离子体基团,刻蚀碳化硅,利用氟等离子体可
【机 构】
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苏州大学物理系,中国 苏州 215006 苏州大学分析测试中心,中国 苏州 215006
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
论文部分内容阅读
由于石墨烯的优异性能,具有非常广阔的应用前景,大尺寸、高质量的石墨烯的制备方法研究已迫在眉睫.而利用等离子体刻蚀SiC制备石墨烯成为重要的研究手段之一,利用双频容性耦合等离子体(DF-CCP)和多频电感耦合/电容耦合(ICP/CCP)混合放电等离子体的优越性,即以低频和高频驱动电源的组合来获得一种高密度,又能独立控制离子通量和能量,对富含氟的气体放电产生氟等离子体基团,刻蚀碳化硅,利用氟等离子体可刻蚀硅原子并产生易挥发反应物质的性质,成功制备石墨烯.
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