【摘 要】
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本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息材料研究所(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
论文部分内容阅读
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10<3>-10<4>cm<-2>量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10<4>cm<-2>量级).发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响.低AB-EPD的片子跨导大;高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PLmapping)对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
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