2.2GHz低相位噪声低功耗LC压控振荡器

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bafjeght
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为满足高频压控振荡器低相位噪声的要求,设计了一个全集成的低相位噪声负阻LC压控振荡器。利用线性时变脉冲敏感函数(ISF)分析研究了CMOS VCO的相位噪声,同时分析电流源在VCO中的作用,利用噪声滤波技术,抑制电流源产生的噪声进入振荡同路,并控制偏置电流,满足低压低功耗的要求。该VCO的调谐范围可以覆盖2.21~2.39GHz,在工作电压为1.8V的情况下,偏置电流2mA时,在100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-104.8dBc/Hz和-124.9 dBc/Hz。振荡器工作电压工作在2.2 GHz时,其100 kHz频偏处的性能系数为-186.129 dBc/Hz。
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