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氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如Al2O3、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异质衬底分离成为了一个非常重要的问题。
通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
【摘 要】
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氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如Al2O3、SiC和
【机 构】
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山东大学
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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