论文部分内容阅读
Tailoring physical properties via oxygen vacancies in perovskite oxide films
【机 构】
:
Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年4期
其他文献
Simulation of the Partial Resets in the Resistive Switching Characteristics of La1-xSrxMnO3 Thin Fil
会议
Electric-Field-Induced Switching of Antiferromagnetic Spin Axis in Straight-Stripe Mixed-Phase Bismu
会议
会议