【摘 要】
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测量了YgdIGs和BiCaVIGs的平行激励高功率临界场hc与外加直流磁场H的关系.比较了不同晶粒尺寸样品的hc(H),发现了阶状蝶形曲线.器件的功率丞受能力与材料hc(H)曲线在拐点磁场
【机 构】
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中国西南应用磁学研究所(四川绵阳)
【出 处】
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第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会
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测量了YgdIGs和BiCaVIGs的平行激励高功率临界场hc与外加直流磁场H的关系.比较了不同晶粒尺寸样品的hc(H),发现了阶状蝶形曲线.器件的功率丞受能力与材料hc(H)曲线在拐点磁场以上的走势密切相关.讨论了拐点磁场H及与其相对应的k<,min>与晶粒尺寸的关系,提出了限制自旋波不稳定模波长上限(k<,min>)的晶粒表层厚度和晶粒内有限传播空间两种机制.
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