【摘 要】
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为开展新型"裂变-电子收集"中子探测器所使用的裂变材料(232Th)金属镀层电极研制，需要在不同金属材料表面覆盖可裂变核素薄膜，该薄膜往往对密度、均匀性、附着性、定量不确定度等具有较高要求，为此我们开展了铜基底上钍的电沉积条件研究，通过电沉积液的选择、电流密度的选择、电沉积时间得选择等条件实验，获得了钍的最佳电沉积参数。
【机 构】
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中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
【出 处】
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2015年首届研究堆应用技术学术交流会
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为开展新型"裂变-电子收集"中子探测器所使用的裂变材料(232Th)金属镀层电极研制，需要在不同金属材料表面覆盖可裂变核素薄膜，该薄膜往往对密度、均匀性、附着性、定量不确定度等具有较高要求，为此我们开展了铜基底上钍的电沉积条件研究，通过电沉积液的选择、电流密度的选择、电沉积时间得选择等条件实验，获得了钍的最佳电沉积参数。
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